清洗,射频等离子清洗,捷纳特(优质商家)

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等离子机产品说明:产品说明:等离子体对材料表面处理,射频等离子清洗,基本有以下几大功效:活化: 大幅提高表面的浸润性能,形成活性的表面清洁: 去除灰尘和油污,精细清洗和去静电涂层:  通过表面涂层处理提供功能性的表面提高表面的附着能力...


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等离子机产品说明:

产品说明:

等离子体对材料表面处理,射频等离子清洗,基本有以下几大功效:

活化: 大幅提高表面的浸润性能,形成活性的表面

清洁: 去除灰尘和油污,精细清洗和去静电

涂层:  通过表面涂层处理提供功能性的表面

提高表面的附着能力,提高表面粘接的可靠性和持久性。

采用常压等离子技术处理后,无论是各类高分子塑胶,表面清洁,陶瓷玻璃还是金属等材料都能获得表面能的提高。通过这样的处理工艺,清洗,制品材料表面张力特性的改善提升,清洗fpc,更能适合工业方面的涂装、粘接等处理要求。

如电子产品中,LCD屏的涂覆处理、机壳及按键钮等结构件的表面喷油丝印、PCB表面的除胶除污清洁、镜片胶水粘贴前的处理、…等等

汽车工业车灯罩、刹车片、车门密封胶条的粘贴前的处理;机械行业金属零部件的细微无害清洁处理,镜片镀涂前的处理,各种工业材料之间接合密封前的处理…等等。

印刷包装糊盒机械中对封边位置的上胶前的处理,等等。



用等离子体清洗硅晶片表面上的光致抗蚀膜,称为腐蚀去除的脱膜过程。    

   图Io—35表示的是用等离子体对硅晶片的刻蚀过程和光致抗蚀膜的去除过程。是用不活泼气体CF4与活泼气体O2组成的等离子体共同作用。    

    对硅晶片的刻蚀目的是去除硅晶片表面未被光致抗蚀膜保护的二氧化硅。使用的刻蚀气体为CF4;刻蚀条件为200W, 40P9(0.3Torr)等离子体处理6~8min。其反应机理为:     SiO2+4F*——>SiF4+02

   由图10-35中的a.至b.的变化可见此过程。

   而光致抗蚀膜的脱膜过程使用的等离子体处理所用的气体为O2;脱膜条件为 400W,133.3Pa(L 0Torr)等离子体:处理10min。