用等离子体清洗硅晶片表面上的光致抗蚀膜，称为腐蚀去除的脱膜过程。
图Io—35表示的是用等离子体对硅晶片的刻蚀过程和光致抗蚀膜的去除过程。是用不活泼气体CF4与活泼气体O2组成的等离子体共同作用。
对硅晶片的刻蚀目的是去除硅晶片表面未被光致抗蚀膜保护的二氧化硅。使用的刻蚀气体为CF4；刻蚀条件为200W， 40P9(0.3Torr)等离子体处理6～8min。其反应机理为： SiO2+4F*——>SiF4+02
由图10-35中的a．至b．的变化可见此过程。
而光致抗蚀膜的脱膜过程使用的等离子体处理所用的气体为O2；脱膜条件为 400W，等离子，133.3Pa(L 0Torr)等离子体：处理10min。
等离子体是不同于固体、液体和气体的物质第四态。物质由分子构成，分子由原子构成，等离子，原子由带正电的原子核和围绕它的、带负电的电子构成。当被加热到足够高的温度或其他原因，外层电子摆脱原子核的束缚成为自由电子，就像下课后的学生跑到操场上随意玩耍一样。电子离开原子核，这个过程就叫做“电离”。这时，物质就变成了由带正电的原子核和带负电的电子组成的、一团均匀的“浆糊”，因此人们戏称它为离子浆，常压等离子表面处理机，这些离子浆中正负电荷总量相等，因此它是近似电中性的，所以就叫等离子体。
