氨水加氧化剂清洗液：
在表面污物被氧化和刻蚀的同时也会发生MCP表面粗糙现象，半导体腐蚀机，造成MCP表面“发毛”和划道或路子等伤害，腐蚀，造成产品质量下降，因此应控制合适的温度和清洗时间，并及时用水漂洗干净。
单晶片清洗 ：
大直径晶片的清洗采用上述方法不好保证其清洗过程的完成，通常采用单晶片清洗法，硅片腐蚀台，其清洗过程是在室温下重复利 用DI-O 3/DHF清洗液，臭氧化的DI水（DI-O3 ）产生氧化硅，稀释的HF蚀刻氧化硅，同时清除颗粒和金属污染物。
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