用等离子体清洗硅晶片表面上的光致抗蚀膜，低温等离子表面处理机，称为腐蚀去除的脱膜过程。
图Io—35表示的是用等离子体对硅晶片的刻蚀过程和光致抗蚀膜的去除过程。是用不活泼气体CF4与活泼气体O2组成的等离子体共同作用。
对硅晶片的刻蚀目的是去除硅晶片表面未被光致抗蚀膜保护的二氧化硅。使用的刻蚀气体为CF4；刻蚀条件为200W，lcd等离子清洗， 40P9(0.3Torr)等离子体处理6～8min。其反应机理为： SiO2+4F*——>SiF4+02
由图10-35中的a．至b．的变化可见此过程。
而光致抗蚀膜的脱膜过程使用的等离子体处理所用的气体为O2；脱膜条件为 400W，133.3Pa(L 0Torr)等离子体：处理10min。
等离子清洗机运用之一：汽车制造行业：EPDM密封条、植绒和涂层前预处理，常压等离子，汽车仪表；汽车前灯PP底座，沟槽粘结前预处理。
等离子清洗机运用之二.塑料橡胶行业，在生产线上塑料瓶贴标签前处理湿粘系统替代热熔和扩散； PP薄膜单面预处理稳定持久，等离子，可用于水基分散性粘结剂；塑料手机外壳以及助动车外壳，油漆前处理。
等离子清洗机运用之三.光电制造行业:柔性和非柔性印刷电路板触点清洁LCD荧光灯管“触点”清洁。
等离子清洗机运用之四：金属及涂装行业: 铝的型材进行预处理替代打毛、打底漆，得到稳定氧化层；铝箔去除润滑油－－无湿化学处理方法；不锈钢激光焊接前处理。
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