等离子体(plasma)又叫做电浆，是由部分电子被剥夺后的原子及原子团被电离后产生的正负离子组成的离子化气体状物质，尺度大于德拜长度的宏观电中性电离气体，其运动主要受电磁力支配，射频等离子清洗，并表现出显著的集体行为。它广泛存在于宇宙中，常被视为是除去固、液、气外，清洗，物质存在的第四态。等离子体是一种很好的导电体，利用经过巧妙设计的磁场可以捕捉、移动和加速等离子体。等离子体物理的发展为材料、能源、信息、环境空间、空间物理、地球物理等科学的进一步发展提供了新的技术和工艺。
用等离子体清洗硅晶片表面上的光致抗蚀膜，称为腐蚀去除的脱膜过程。
图Io—35表示的是用等离子体对硅晶片的刻蚀过程和光致抗蚀膜的去除过程。是用不活泼气体CF4与活泼气体O2组成的等离子体共同作用。
对硅晶片的刻蚀目的是去除硅晶片表面未被光致抗蚀膜保护的二氧化硅。使用的刻蚀气体为CF4；刻蚀条件为200W， 40P9(0.3Torr)等离子体处理6～8min。其反应机理为： SiO2+4F*——>SiF4+02
由图10-35中的a．至b．的变化可见此过程。
而光致抗蚀膜的脱膜过程使用的等离子体处理所用的气体为O2；脱膜条件为 400W，133.3Pa(L 0Torr)等离子体：处理10min。
