1．固体无机介质电容器的选用
在固体无机提质电容器中，使用最多的是瓷介电容器，尤其是瓷片电容器、独石电容器和无引线瓷介电容器。
高频电路与超高频电路应选用I类瓷介电容器，中、低频电路可选用II类瓷介电容器。III类瓷介电容器只能用于低频电路，而不能用于中、高频电路。
高频电路中的耦合电容器、旁路电容器及调谐电路中的固定电容器，大容量电容，均可以选用玻璃釉电容器或云母电容器。
铝电解电容在工艺上
除了已经实现生产机械化和自动化以外，铝电解电容器在工艺上的进展主要是腐蚀相赋能两个工艺。铝箔的腐蚀系数不但已经很高(低压电容器箔已达100，高压者达25)，而且可以根据对电容器的性能要求，电容在电路中的作用 ，腐蚀出不同坑洞形貌的铝箔。腐蚀工艺是一种腐蚀液种类、浓度、温度、原箔成分、结构、表面状态、腐蚀过程中箔速度以及电源类型、波形、频率、电压等的动态平衡工艺。问题是如何得出最‘佳的动态平衡和如何根据要求确定出最传平衡。因此，电容，对现在的腐蚀工艺还不能说已经达到了最’佳状态。
现 在的赋能工艺已经可以制造出优质的介质氧化膜，而且还可以根据要求不同，制造出不同的介质氧化膜，例如， 规格电容 ，对直流电容器，制造出γ和γ’型结晶氧化铝膜，对交流电容器，则为非晶膜。赋能工艺最‘大的进展是能将氢氧化铝膜转变成介质氧化铝膜、并能在其表面形成防水层。此外，还能消除介质膜的疵点和龟裂。
