硅片腐蚀利用氢氧化钠对多晶硅腐蚀作用，清洗，去除硅片在多线切割锯切片时产生的表面损伤层，同时利用氢氧化钠对硅腐蚀的各向异性，争取表面较低反射率较低的表面织构。解释：①现有多晶硅片是由长方体晶锭在多线切割锯切成一片片多晶硅方片。由于切片是钢丝在金刚砂溶液作用下多次往返削切成硅片，半导体清洗台，金刚砂硬度很高，会在硅片表面带来一定的机械损伤。如果损伤不去除，会影响太阳电池的填充因子。②氢氧化钠俗称烧碱，是在国民经济生产中大量应用化工产品。由电解食盐水而得，价格比较便宜，每500克6元。化学反应方程式为：2NaCl + 2H2O ==通电== 2NaOH + Cl2↑ + H2↑ 。分析纯氢氧化锂、氢氧化钾也可以与硅起反应，但价格较贵。如氢氧化锂每500克23元，用于镉-镍电池电解液中。③碱性腐蚀优点是反应生成物无毒，不污染空气和环境。不像HF-HNO3酸性系统会生成有毒的NOx气体污染大气。另外，碱性系统与硅反应，基本处于受控状态。有利于大面积硅片的腐蚀，可以保证一定的平行度。
腐蚀机设备
通常我们将专用于研究机械、国防工业、轻工电子、仪表等行业各种环境适应性和可靠性的试验设备称为多功能腐蚀机。该设备主要是通过高压喷淋及被蚀刻板直线运动形成连续不间断进料状态进行对工件腐蚀，从而达到提高生产效率的目的。
设备特点
腐蚀机设备的顶部一般都会设有百级高效送风装置，碱槽设有超声波辅助清洗装置，SPM清洗机，而且酸槽设有上下抛动辅助清洗装置。就操作系统而言，该设备的控制机系统采用PLC可程式控制器，半导体清洗机，并配上了10.4英寸彩色人机界面操作。除此之外，为了更好地达到所想要的效果，它的后部都设有排风装置。
研究所及其他原子能工业：
需要清洗的产品：控制杆、计数管、泵、铅管类、研究所用的容器、玻璃螺管、玻璃管、分析试料、目镜等
污染源：放射性粒子、灰尘、沾附污垢、砂砾、硅油、润滑油
使用清洗剂：碱性洗涤剂、中性洗涤剂；纯水；有机性洗涤剂
清洗设备是指可用于替代人工来清洁工件表面油、蜡、尘、氧化层等污渍与污迹的机械设备。目前市面上所见到清洗设备为：超声波清洗、高压喷淋清洗、激光清洗、蒸汽清洗、干冰清洗及复合型清洗设备等；
