铝电解电容的介质损耗
电容器在电场作用下消耗的能量，通常用损耗功率和电容器的无功功率之比，即损耗角的正切值表示（在电容器的等效电路中，串联等效电阻ESR 同容抗 1/ωC 之比称之为 Tan δ，400V470UF电容 ，这里的 ESR 是在 120Hz 下计算获得的值。显然，400V220UF电容 ，Tan δ随着测量频率的增加而变大，随测量温度的下降而增大）。损耗角越大，电容，电容器的损耗越大，损耗角大的电容不适于高频情况下工作。散逸因数dissipationfactor(DF)存在于所有电容器中，450V1000UF电容 ，有时DF值会以损失角tanδ表示。此参数愈低愈好。但铝电解电容此参数比较高。
陶瓷电容器
用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。 具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对 稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。高频瓷介电容器适用于高频电路。
