超声清洗：
腐蚀后的MCP是由微米级细孔构成的复杂网状结构，普通的清洗方法一般不能达到孔内，而孔内芯料的反应生成物及其他污染物会在后序工艺中会产生重复污染。无论是采用有机溶剂或是清洗液清洗都容易引入新的污染源，清洗，然而利用超声波清洗技术却可以实现无重复污染，而且能深入MCP孔内的效果。
影响超声清洗的因素
清洗液的流动速度对超声清洗效果也有很大影响，晶圆清洗机，是在清洗过程中液体静止不流动，湿制程清洗机，这时泡的生长和闭合运动能够充分完成。如果清洗液的流速过快，则有些空化核会被流动的液体带走有些空化核则在没有达到生长闭合运动整过程时就离开声场，因而使总的空化 强度降低。在实际清洗过程中有时为避免污物重新粘附在清洗件上．清洗液需要不断流动更新，此时应注意清洗液的流动速度不能过快，以免降低清洗效果。
清洗液中气体的含量对超声波清洗效果也有影响。在清洗液中如果有残存气体(非空化核)会增加声传播损失，此外在空化泡运动过程中扩散到泡中的气体，在空化泡崩溃时会降低冲击波强度而削弱清洗作用。因此有些超声清洗设备具有除气功能，在开机时先进行低于 空化阈值的功率水平作振动，以脉冲或间歇方式振动进行除气．然后功率加到正常清洗的功率水平进行超声清洗。
硅材料表面的颗粒、有机物、金属、吸附分子、微粗糙度、自然氧化层等严重影响器件性能，清洗不佳引起的器件失效已超过集成电路制造中总损失的一半。因此，硅片清洗技术成为硅材料加工和半导体工艺研究的一大热点。
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