基于APM（NH4OH:H2O2:H2O）的化学材料在微粒去除方面仍占主宰地位，SPM清洗设备，但如果没有兆频超声波强化，其作用就不是很有效。基于最初RCA（HPM：HCl:H2O2:H2O）配方的去除金属的化学材料差不多都放弃了。
与洁净得多的抗蚀剂和化学材料结合在一起的创新化学是在这一领域成功的关键。此外，几何图形非常密集的器件制造的污染控制也推动了各种创新技术的研发，MEMS清洗设备，例如包括超临界CO2（SCCO2）清洗。
在半导体湿式清洗制程中，晶圆 (湿式) 清洗制程主要是希望藉由化学药品与清洗设备，清除来自周遭环境所附着在晶圆表面的脏污，以达到半导体组件电气特性的要求与可靠度。过去 RCA 多槽湿式清洗一直是晶圆清洗的主要技术，不过随着近年来制程与清洗设备的演进，清洗，不但在清洗制程中不断产生新的技术，也随着半导体后段封装技术的演进，清洗设备也逐渐进入封装厂的生产线中。
清洗的设备仪器
主要以湿法清洗为主，以下是与湿法清洗相关的设备仪器。有机溶剂清洗机：循环去离子(DI)水，对蓝宝石进行冲洗；形成局部通风区域，对清洗过程产生的有毒腐蚀性气体进行及时排除。
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