半导体器件生产中硅片须经严格清洗。微量污染也会导致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染杂质，包括有机物和无机物。这些杂质有的以原子状态或离子状态，半导体腐蚀设备，有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅片表面。有机污染包括光刻胶、有机溶剂残留物、合成蜡和人接触器件、工具、器皿带来的油脂或纤维。无机污染包括重金属金、铜、铁、铬等，严重影响少数载流子寿命和表面电导；碱金属如钠等，引起严重漏电；颗粒污染包括硅渣、尘埃、细菌、微生物、有机胶体纤维等，会导致各种缺陷。清除污染的方法有物理清洗和化学清洗两种。
影响超声清洗效果的其它因素
被清洗件的声学特性和在清洗槽中的排列对清洗效果也有较大的影响，半导体，吸声大的清洗对象，如橡胶，布料等清洗效果差，而对声反射强的清洗件，如金属件，玻璃制品的清洗效果好。清洗件面积小的一面应朝声源排放，半导体酸洗机，排列要有一定的间距；清洗件不能直接放在清洗槽底部；尤其是较重的清洗件，以免影槽底板的振动，也避免清洗件擦伤底板而加速空化腐蚀。清洗件*好是悬挂在槽中，或用金属罗筐盛好悬挂．但须注意要用金属丝做成．并尽可能用细丝做咸空格较大的筐，以减少声的吸收和屏蔽。
清洗液的流动速度对超声清洗效果也有很大影响，半导体清洗设备，*好是在清洗过程中液体静止不流动，这时泡的生长和闭合运动能够充分完成。如果清洗液的流速过快，则有些空化核会被流动的液体带走有些空化核则在没有达到生长闭合运动整过程时就离开声场，因而使总的空化 强度降低。在实际清洗过程中有时为避免污物重新粘附在清洗件上．清洗液需要不断流动更新，此时应注意清洗液的流动速度不能过快，以免降低清洗效果。
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