本公司因订单生产需求，现紧急采购16.0以上效率的156多晶电池片或崩边缺角，
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2007年， 中国市场上有各类硅单晶生长设备1500余台，分布在70余家生产企业。2007年5月24日，国家“863”计划 超大规模集成电路（IC）配套材料重大专项总体组在 北京组织专家对 西安理工大学和 北京有色金属研究总院承担的“TDR-150型单晶炉（12英寸MCZ综合系统）”完成了验收。这标志着拥有 自主知识产权的大尺寸集成电路与太阳能用硅单晶生长设备，在我国首.次研制成功。这项产品使中国能够开发具有自主知识产权的关键制造技术与单晶炉生产设备，填补了国内空白，初步改变了在晶体生长设备领域研发制造受制于人的局面。
硅片物理清洗
物理清洗有三种方法。①刷洗或擦洗:可除去颗粒污染和大多数粘在片子上的薄膜。②高压清洗：是用液体喷射片子表面，喷嘴的压力高达几百个大气压。高压清洗靠喷射作用，片子不易产生划痕和损伤。但高压喷射会产生静电作用，靠调节喷嘴到片子的距离、角度或加入防静电剂加以避免。③超声波清洗：超声波声能传入溶液，靠气蚀作用洗掉片子上的污染。但是，从有图形的片子上除去小于 1微米颗粒则比较困难。将频率提高到超高频频段，清洗效果更好。
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