影响超声清洗的因素
清洗液的流动速度对超声清洗效果也有很大影响，是在清洗过程中液体静止不流动，这时泡的生长和闭合运动能够充分完成。如果清洗液的流速过快，MEMS腐蚀设备，则有些空化核会被流动的液体带走有些空化核则在没有达到生长闭合运动整过程时就离开声场，因而使总的空化 强度降低。在实际清洗过程中有时为避免污物重新粘附在清洗件上．清洗液需要不断流动更新，此时应注意清洗液的流动速度不能过快，以免降低清洗效果。
清洗液中气体的含量对超声波清洗效果也有影响。在清洗液中如果有残存气体(非空化核)会增加声传播损失，此外在空化泡运动过程中扩散到泡中的气体，MEMS腐蚀机，在空化泡崩溃时会降低冲击波强度而削弱清洗作用。因此有些超声清洗设备具有除气功能，TMAH腐蚀台，在开机时先进行低于 空化阈值的功率水平作振动，以脉冲或间歇方式振动进行除气．然后功率加到正常清洗的功率水平进行超声清洗。
在批次清洗工艺还是在单晶圆清洗工艺中，传统的浸没清洗仍起主导作用。在单晶圆清洗工艺时，这一趋势由于太阳电池清洗技术的需求而强化。该技术中，由于被加工衬底的剪切数目(shear number)，可选用批次加工方法。可以使选择气相清洗化学过程与批次加工兼容。但同时，单晶圆清洗方法（如旋转清洗）正推进到高端应用领域。
在清洗工艺中，腐蚀，去除刻蚀后的光刻胶残渣是半导体行业的一大技术难点，尤其是经过高浓度离子注入的光刻胶，注入的阳离子和光刻胶中的碳形成很强的化学键，使光刻胶表面高度交联，形成一层高度致密、耐腐蚀的碳化硬壳，大大增加了光刻胶的去除难度。
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