RCA清洗法：依靠溶剂、酸、表面活性剂和水，南京中央供液系统，在不破坏晶圆表面特征的情况下通过喷射、净化、氧化、蚀刻和溶解晶片表面污染物、有机物及金属离子污染。在每次使用化学品后都要在超纯水（UPW）中彻底清洗。以下是常用清洗液及作用。
像兆频超声搅动这样的物理辅助手段对结构损伤和图形坍塌等有潜在影响，正在对其改进，以便在保持微粒去除工艺效率的同时不对图形完整性产生有害影响。考虑到表面形态的原子级恶化都可能对器件性能会有致命影响，系统，即使像DI水清洗等这些看起来最良性的清洗程序元素也必须重新评估。
为了应对硅表面的非平面性问题，晶圆清洗技术至少受到三个不同前沿加工技术的挑战。首先涉及的是CMOS加工。在器件几何形状不断减小时，集中供液系统，尖端数字CMOS技术方面的挑战是保持栅结构有足够的电容密度，这是在栅长度减小时维持足够高驱动电流所需要的。一个途径是采用比SiO2介电常数高的栅电介质，另一途径是通过三维结构MOS栅极以增加栅面积又不增加单元电路面积，再一个途径就是二者的结合。
苏州晶淼半导体(图),集中供液系统,系统由苏州晶淼半导体设备有限公司提供。苏州晶淼半导体设备有限公司（www.jmbdt.com）是专业从事“半导体清洗机 , 半导体清洗设备,半导体湿法设备”的企业，公司秉承“诚信经营，用心服务”的理念，为您提供优质的产品和服务。欢迎来电咨询！联系人：王经理。