日本的科学家采用 B i z o 作为 添加剂，B i 2 O3 在 8 2 0 C r 熔化，在 l 5 0 0℃的烧结温度超出部分已经挥发，这样能够在液相烧结条件下 得到比较纯的 I T O靶材。而且所需要的氧化物原料也 不一定是纳米颗粒，这样可以简化前期的工序。采川 这样的靶材得到的 I T O 薄膜的屯阻率达到 8 ． 1 ×1 0 n- c m，接近纯的 I T O薄膜 的电阻率。铟靶材厂家，ITO靶材回收站点，铟靶材价格，铟靶材回收
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