基于APM（NH4OH:H2O2:H2O）的化学材料在微粒去除方面仍占主宰地位，蚌埠半导体清洗台，但如果没有兆频超声波强化，其作用就不是很有效。基于最初RCA（HPM：HCl:H2O2:H2O）配方的去除金属的化学材料差不多都放弃了。
与洁净得多的抗蚀剂和化学材料结合在一起的创新化学是在这一领域成功的关键。此外，半导体，几何图形非常密集的器件制造的污染控制也推动了各种创新技术的研发，例如包括超临界CO2（SCCO2）清洗。
干法清洗：
对于已经氢还原的MCP，因为二次电子发射层已经形成，青岛半导体清洗台，如果采用化学清洗或湿法清洗容易造成对MCP电性能的破坏，并可能产生清洗介质对MCP的再次污染。因此氢还原后的MCP，一般选用干法清洗，主要包括等离子清洗、辉光放电、紫外清洗等清洗技术。
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