日本的科学家采用 B i z o 作为 添加剂，贵金属回收，B i 2 O3 在 8 2 0 C r 熔化，在 l 5 0 0℃的烧结温度超出部分已经挥发，这样能够在液相烧结条件下 得到比较纯的 I T O靶材。而且所需要的氧化物原料也 不一定是纳米颗粒，贵金属回收设备，这样可以简化前期的工序。采川 这样的靶材得到的 I T O 薄膜的屯阻率达到 8 ． 1 ×1 0 n- c m，贵金属回收计划，接近纯的 I T O薄膜 的电阻率。铟靶材厂家，铟靶材价格，铟靶材回收
导体工艺在0 .25um 以下 的亚微米布线的需要但却带米了其他的问题：铜与 有机介质材料的附着强度低．并且容易发生反应，导 致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路。为了解决以上这些问题，需要在铜与介质层之间设置阻挡 层。阻挡层材料一般采用高熔点、高电阻率的金属及其化合物，贵金属回收，因此要求阻挡层厚度小于50n m，与铜及介质材料的附着性能良好。铟靶材厂家，铟靶材价格，铟靶材回收，铟靶材哪家好
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