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晶体硅太阳电池的优良性能简介:
·高效率,低衰减,电池片,可靠性强;
·先进的扩散技术,保证了片间片内的良好均匀性,降低了电池片之间的匹配损失;
·运用先进的管式PECVD成膜技术,使得覆盖在电池表面的深蓝色氮化硅减反射膜致密、均匀、美观;
·应用高品质的金属浆料制作电极和背场。确保了电极良好的导电性、可焊性以及背场的平整性;
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等离子刻蚀
由于在扩散过程中,即使采用背靠背扩散,硅片的所有表面包括边缘都将不可避免地扩散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面,太仓太阳能电池片,而造成短路。因此,必须对太阳能电池周边的掺杂硅进行刻蚀,以去除电池边缘的PN结。通常采用等离子刻蚀技术完成这一工艺。等离子刻蚀是在低压状态下,反应气体CF4的母体分子在射频功率的激发下,产生电离并形成等离子体。等离子体是由带电的电子和离子组成,反应腔体中的气体在电子的撞击下,除了转变成离子外,还能吸收能量并形成大量的活性基团。活性反应基团由于扩散或者在电场作用下到达SiO2表面,在那里与被刻蚀材料表面发生化学反应,并形成挥发性的反应生成物脱离被刻蚀物质表面,被真空系统抽出腔体。
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