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日本的科学家采用 B i z o 作为 添加剂,B i 2 O3 在 8 2 0 C r 熔化,在 l 5 0 0℃的烧结温度超出部分已经挥发,这样能够在液相烧结条件下 得到比较纯的 I T O靶材。而且所需要的氧化物原料也 不一定是纳米颗粒,如皋ITO靶材回收,这样可以简化前期的工序。采川 这样的靶材得到的 I T O 薄膜的屯阻率达到 8 . 1 ×1 0 n- c m,东台ITO靶材回收,接近纯的 I T O薄膜 的电阻率。铟靶材厂家,铟靶材价格,铟靶材回收


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