为了应对硅表面的非平面性问题，晶圆清洗技术至少受到三个不同前沿加工技术的挑战。首先涉及的是CMOS加工。在器件几何形状不断减小时，尖端数字CMOS技术方面的挑战是保持栅结构有足够的电容密度，这是在栅长度减小时维持足够高驱动电流所需要的。一个途径是采用比SiO2介电常数高的栅电介质，另一途径是通过三维结构MOS栅极以增加栅面积又不增加单元电路面积，再一个途径就是二者的结合。
了解专用超声波清洗机
超声波清洗机清洗方法逾越一样平常以的成例荡涤方法，格外是工件的表面比较繁杂，象一些表面高低不平，有盲孔的机器零部件，高压清洗设备，一些格外小而对干净度有较高要求的产品如：钟表和精密机器的零件，电子元器件，清洗设备，电路板组件等，应用超声波清洗机清洗都能到达很理想的成绩。
超声波产生器超声荡涤成绩不一定与（功率×荡涤工夫）成正比，有时用小功率，花费很暂时也不有清除污垢。而假定功率到达一定数值，清洗设备厂商，有时很快便将污垢去除。若抉择功率太大，空化强度将大大增进，荡涤成绩是提高了，医用清洗设备，但这时使较精密的零件也产生蚀点，得不偿失，何况荡涤缸底部振动板处空化很有问题，水滴腐蚀也增大，在采纳三氯乙烯等有机溶剂时，根蒂根蒂根基上不有标题问题，但采纳水或水溶性荡涤液时，易于受到水滴腐蚀，假定振动板表面已受到伤痕，强功率上水底产生空化腐蚀更很有问题，是以要按实践应用环境抉择超声功率。
RCA清洗法：依靠溶剂、酸、表面活性剂和水，在不破坏晶圆表面特征的情况下通过喷射、净化、氧化、蚀刻和溶解晶片表面污染物、有机物及金属离子污染。在每次使用化学品后都要在超纯水（UPW）中彻底清洗。以下是常用清洗液及作用。
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