湿法清洗 ：
湿法清洗采用液体化学溶剂和DI水氧化、蚀刻和溶解晶片表面污染物、有机物及金属离子污染。通常采用的湿法清洗有RCA清洗法、稀释化学法、 IMEC清洗法、单晶片清洗等。
氨水加氧化剂清洗液：
在表面污物被氧化和刻蚀的同时也会发生MCP表面粗糙现象，造成MCP表面“发毛”和划道或路子等伤害，造成产品质量下降，因此应控制合适的温度和清洗时间，硅芯清洗，并及时用水漂洗干净。
为了半导体清洗技术能满足不断出现的新需求，硅芯清洗机，必须对现有工艺进行调整和修改。随着纵向尺寸持续缩小，清洗操作过程中的材料损失和表面粗糙就会成为必须关注的领域。将微粒去除而又没有材料损失和图形损伤是最基本的要求，因此必须考虑周全并有所折衷。
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