单晶片清洗 ：
大直径晶片的清洗采用上述方法不好保证其清洗过程的完成，通常采用单晶片清洗法，晶片清洗设备，其清洗过程是在室温下重复利 用DI-O 3/DHF清洗液，臭氧化的DI水（DI-O3 ）产生氧化硅，稀释的HF蚀刻氧化硅，同时清除颗粒和金属污染物。
RCA清洗法 ：
最初，人们使用的清洗方法没有可依据的标准和系统化。1965年， RCA（美国无线电公司）研发了用于硅晶圆清洗的RCA清洗法，并将其应用于 RCA元件制作上。该清洗法成为以后多种前后道清洗工艺流程的基础，以后大多数工厂中使用的清洗工艺基本是基于最初的RCA清洗法。
清洗安全操作规范：
(1)药品使用完后，半导体清洗设备，必须把瓶盖拧紧并放到安全处；
(2)工作台前的外窗门，清洗设备，在使用时和使用后，均应拉下封闭，防止试剂污染晶片和超净间，危害员工健康；
(3)废液回收时一定要两人同时在场。
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