在半导体湿式清洗制程中，晶圆 (湿式) 清洗制程主要是希望藉由化学药品与清洗设备，清除来自周遭环境所附着在晶圆表面的脏污，晶片清洗设备，以达到半导体组件电气特性的要求与可靠度。过去 RCA 多槽湿式清洗一直是晶圆清洗的主要技术，清洗设备，不过随着近年来制程与清洗设备的演进，硅片清洗设备，不但在清洗制程中不断产生新的技术，也随着半导体后段封装技术的演进，BOE清洗设备，清洗设备也逐渐进入封装厂的生产线中。
为了半导体清洗技术能满足不断出现的新需求，必须对现有工艺进行调整和修改。随着纵向尺寸持续缩小，清洗操作过程中的材料损失和表面粗糙就会成为必须关注的领域。将微粒去除而又没有材料损失和图形损伤是最基本的要求，因此必须考虑周全并有所折衷。
在清洗工艺中，去除刻蚀后的光刻胶残渣是半导体行业的一大技术难点，尤其是经过高浓度离子注入的光刻胶，注入的阳离子和光刻胶中的碳形成很强的化学键，使光刻胶表面高度交联，形成一层高度致密、耐腐蚀的碳化硬壳，大大增加了光刻胶的去除难度。
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