清洗设备在主要清洗物质依制程不同而清除对象而有所差异，Wet Station主要清除物质为污染微粒、Organic与 MetalIon、NativeOxide等。而单晶圆设备则对污染微粒与金属有较佳的去除效果。然而，清洗台，随着半导体厂着重于缩短时间、降低成本、更好的制程表现、低污染与低耗能等诉求，目前全球各大设备厂也不断以单芯片清洗设备为主要研发机种。
特殊的电应用和光应用中有不断增长的提高性能的需求，这要求大大地改进硅以外的许多半导体的制造技术。
这些材料的例子包括锗，因为它有高于Si的电子迁移率，有可能与高-k栅介质集成；加工应力沟道Si MOSFET所需的SiGe；以及碳化硅SiC，其带隙很宽。除了最*先进的GaAs外，像GaN、InAs、InSb、ZnO等等一些Ⅲ-Ⅴ族半导体也越来越引起人们的兴趣。
在半导体湿式清洗制程中，晶圆 (湿式) 清洗制程主要是希望藉由化学药品与清洗设备，清除来自周遭环境所附着在晶圆表面的脏污，半导体清洗台，以达到半导体组件电气特性的要求与可靠度。过去 RCA 多槽湿式清洗一直是晶圆清洗的主要技术，不过随着近年来制程与清洗设备的演进，刻蚀清洗台，不但在清洗制程中不断产生新的技术，也随着半导体后段封装技术的演进，清洗设备也逐渐进入封装厂的生产线中。
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