氨水加氧化剂清洗液：
在表面污物被氧化和刻蚀的同时也会发生MCP表面粗糙现象，造成MCP表面“发毛”和划道或路子等伤害，造成产品质量下降，RCA腐蚀台，因此应控制合适的温度和清洗时间，并及时用水漂洗干净。
为了半导体清洗技术能满足不断出现的新需求，RCA腐蚀机，必须对现有工艺进行调整和修改。随着纵向尺寸持续缩小，清洗操作过程中的材料损失和表面粗糙就会成为必须关注的领域。将微粒去除而又没有材料损失和图形损伤是最基本的要求，RCA，因此必须考虑周全并有所折衷。
像兆频超声搅动这样的物理辅助手段对结构损伤和图形坍塌等有潜在影响，正在对其改进，以便在保持微粒去除工艺效率的同时不对图形完整性产生有害影响。考虑到表面形态的原子级恶化都可能对器件性能会有致命影响，即使像DI水清洗等这些看起来最良性的清洗程序元素也必须重新评估。
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