在批次清洗工艺还是在单晶圆清洗工艺中，传统的浸没清洗仍起主导作用。在单晶圆清洗工艺时，这一趋势由于太阳电池清洗技术的需求而强化。该技术中，半导体腐蚀机，由于被加工衬底的剪切数目(shear number)，可选用批次加工方法。可以使选择气相清洗化学过程与批次加工兼容。但同时，单晶圆清洗方法（如旋转清洗）正推进到高端应用领域。
氨水加氧化剂清洗液：
在表面污物被氧化和刻蚀的同时也会发生MCP表面粗糙现象，腐蚀机，造成MCP表面“发毛”和划道或路子等伤害，造成产品质量下降，因此应控制合适的温度和清洗时间，并及时用水漂洗干净。
RCA清洗附加兆声能量后，可减少化学品及DI 水的消耗量，圆晶腐蚀机，缩短晶片在清洗液中的浸蚀时间，减轻湿法清洗的各向同性对积体电路特征的影响，增加清洗液使用寿命。
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