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清洗的注意事项：

(1)关机重启后，南京半导体清洗设备，时间间隔1分钟以上，汉口半导体清洗设备，否则可能会造成电气损坏；

(2)设备运行中，注意去离子水流量不得超过允许值，否则可能由于排放受阻而造成机器损坏；

(3)每次运行完毕后取出片子时，注意卡塞口是否朝上，纠正后再取出，否则片子会掉出来；

(4)一旦发现水路的关联件出现“漏水”、“滴水”现象应立即关机，半导体清洗设备，检修后再运行。

干法清洗：

　　对于已经氢还原的MCP，因为二次电子发射层已经形成，如果采用化学清洗或湿法清洗容易造成对MCP电性能的破坏，北京半导体清洗设备，并可能产生清洗介质对MCP的再次污染。因此氢还原后的MCP，一般选用干法清洗，主要包括等离子清洗、辉光放电、紫外清洗等清洗技术。

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