就清洗媒介来说，湿法清洗仍然是现代先进晶圆清洗工艺的主力。虽然Si技术中的清洗化学材料与最初RCA的配方相差不大，但整体工艺最明显的改变包括：采用了非常稀释的溶液；简化工艺；广泛使用臭氧水。
基于APM（NH4OH:H2O2:H2O）的化学材料在微粒去除方面仍占主宰地位，酸腐蚀机，但如果没有兆频超声波强化，其作用就不是很有效。基于最初RCA（HPM：HCl:H2O2:H2O）配方的去除金属的化学材料差不多都放弃了。
与洁净得多的抗蚀剂和化学材料结合在一起的创新化学是在这一领域成功的关键。此外，酸腐蚀，几何图形非常密集的器件制造的污染控制也推动了各种创新技术的研发，例如包括超临界CO2（SCCO2）清洗。
特殊的电应用和光应用中有不断增长的提高性能的需求，这要求大大地改进硅以外的许多半导体的制造技术。
这些材料的例子包括锗，南京酸腐蚀清洗设备，因为它有高于Si的电子迁移率，有可能与高-k栅介质集成；加工应力沟道Si MOSFET所需的SiGe；以及碳化硅SiC，其带隙很宽。除了最*先进的GaAs外，像GaN、InAs、InSb、ZnO等等一些Ⅲ-Ⅴ族半导体也越来越引起人们的兴趣。
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