干法清洗：
对于已经氢还原的MCP，BOE，因为二次电子发射层已经形成，BOE清洗设备，如果采用化学清洗或湿法清洗容易造成对MCP电性能的破坏，并可能产生清洗介质对MCP的再次污染。因此氢还原后的MCP，BOE腐蚀设备，一般选用干法清洗，主要包括等离子清洗、辉光放电、紫外清洗等清洗技术。
随着微粒和金属污染的数量级逐渐减小，BOE清洗机，以及对这方面的污染控制非常有效，现在更多注意的是有机污染和表面状态相关问题。用简单的灯清洗法可以把有机污染从Si表面除去。此外，应特别注意溶解在水内和气相的臭氧在控制有机污染中的作用。
半导体器件技术飞速地扩展进入主流硅逻辑和模拟应用以外的领域。在显示技术、太阳电池板技术和一些其它大面积光电系统中，其表面需要加工的材料可能包括玻璃、ITO（铟锡氧化物）或柔性塑料衬底等等。
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