技术前景
除了目前致力于开发的TWINSCAN平台外，ASML还在积极与IMEC， IBM等半导体公司合作，开发下一代光刻技术，比如EUV（极紫外线光刻），用于关键尺度在22纳米甚至更低的集成电路制造。目前ASML已经向客户递交若干台EUV机型，光刻机，用于研发和实验。同时，光刻机，基于传统TWINSCAN平台的双重曝光等新兴技术，也在进一步成熟和研发过程当中。
传统光刻机的演变和所面临的挑战
光刻机是诸多现代技术高度集成的产物， 这些技术是：物理学，光学，化学，材料科学，精密机械，精密控制，工程学等等。在过往的20几年中，上海光刻机，光刻机作为半导体制造业的重要设备，沈阳光刻机，经历了很多次革命。这些变革是伴随着微处理器和DRAM特征尺寸的不断缩减发生的演变。 由于光刻的分辨率与曝光波长、物镜光阑孔径的关系为：分辨率=K1λ/NA所以光刻机的革命主要发生在这样几个方面[2－8]：大NA非球面镜光学系统，短波长光源，分辨率增强技术（降低K1因子），同步扫描工件台等。
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