RCA清洗附加兆声能量后，湿制程设备，可减少化学品及DI 水的消耗量，缩短晶片在清洗液中的浸蚀时间，减轻湿法清洗的各向同性对积体电路特征的影响，太仓湿制程设备，增加清洗液使用寿命。
氨水加氧化剂清洗液
氨水加氧化剂清洗液配方为: NH4OH∶H2O2∶H2O=1∶10∶10~1∶20∶20，温度为25~40℃，时间10~30min。由于这种清洗液具有碱性、氧化性和络合性，半导体湿制程设备，可以发生氧化反应、产生微蚀刻作用，以达到去除表面颗粒的目的，可以去除一些有机污染物及部分重金属离子污染物。
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