为了半导体清洗技术能满足不断出现的新需求，湿法腐蚀机，必须对现有工艺进行调整和修改。随着纵向尺寸持续缩小，清洗操作过程中的材料损失和表面粗糙就会成为必须关注的领域。将微粒去除而又没有材料损失和图形损伤是最基本的要求，因此必须考虑周全并有所折衷。
单晶片清洗 ：
大直径晶片的清洗采用上述方法不好保证其清洗过程的完成，通常采用单晶片清洗法，其清洗过程是在室温下重复利 用DI-O 3/DHF清洗液，上海湿法腐蚀机设备，臭氧化的DI水（DI-O3 ）产生氧化硅，稀释的HF蚀刻氧化硅，同时清除颗粒和金属污染物。
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