湿法清洗 ：
湿法清洗采用液体化学溶剂和DI水氧化、蚀刻和溶解晶片表面污染物、有机物及金属离子污染。通常采用的湿法清洗有RCA清洗法、稀释化学法、 IMEC清洗法、单晶片清洗等。
硅清洗技术经历了持续的发展改进，无锡半导体酸洗设备，包括早期用气相等效物替代在湿化学品中进行的部分清洗操作。难以置信的是，酸洗设备，现代先进的Si清洗仍然依赖于大体上同一组化学溶液，不过它们的制备和送至晶圆的方法与最初提出的已大不相同。此外，传统上用湿清洗化学品做的表面选择清洗/修整功能现在是在气相中做的。
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