超声清洗：
腐蚀后的MCP是由微米级细孔构成的复杂网状结构，深圳酸洗设备，普通的清洗方法一般不能达到孔内，上海半导体酸洗设备，而孔内芯料的反应生成物及其他污染物会在后序工艺中会产生重复污染。无论是采用有机溶剂或是清洗液清洗都容易引入新的污染源，然而利用超声波清洗技术却可以实现无重复污染，苏州半导体酸洗 设备，而且能深入MCP孔内的效果。
为了应对硅表面的非平面性问题，晶圆清洗技术至少受到三个不同前沿加工技术的挑战。首先涉及的是CMOS加工。在器件几何形状不断减小时，尖端数字CMOS技术方面的挑战是保持栅结构有足够的电容密度，酸洗设备，这是在栅长度减小时维持足够高驱动电流所需要的。一个途径是采用比SiO2介电常数高的栅电介质，另一途径是通过三维结构MOS栅极以增加栅面积又不增加单元电路面积，再一个途径就是二者的结合。
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