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湿法清洗 :

      湿法清洗采用液体化学溶剂和DI水氧化、蚀刻和溶解晶片表面污染物、有机物及金属离子污染。通常采用的湿法清洗有RCA清洗法、稀释化学法、 IMEC清洗法、单晶片清洗等。



     为了应对硅表面的非平面性问题,半导体清洗台,晶圆清洗技术至少受到三个不同前沿加工技术的挑战。首先涉及的是CMOS加工。在器件几何形状不断减小时,湖北半导体清洗台,尖端数字CMOS技术方面的挑战是保持栅结构有足够的电容密度,常州半导体清洗台,这是在栅长度减小时维持足够高驱动电流所需要的。一个途径是采用比SiO2介电常数高的栅电介质,另一途径是通过三维结构MOS栅极以增加栅面积又不增加单元电路面积,再一个途径就是二者的结合。


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