为了应对硅表面的非平面性问题，晶圆清洗技术至少受到三个不同前沿加工技术的挑战。首先涉及的是CMOS加工。在器件几何形状不断减小时，半导体，尖端数字CMOS技术方面的挑战是保持栅结构有足够的电容密度，芜湖半导体清洗台，这是在栅长度减小时维持足够高驱动电流所需要的。一个途径是采用比SiO2介电常数高的栅电介质，另一途径是通过三维结构MOS栅极以增加栅面积又不增加单元电路面积，半导体设备，再一个途径就是二者的结合。
半导体清洗机设备生产线用于PI COAT前清洗设备，描述了LCD生产线（以CSTN为主）上使用的PI COAT清洗设备的主要清洗艺流程及设备的主要组成部分，包括清洗、漂洗、气刀、风干、IR、UV清洗干燥、CP降温、冷却干燥等。
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