单晶片清洗 ：
大直径晶片的清洗采用上述方法不好保证其清洗过程的完成，通常采用单晶片清洗法，其清洗过程是在室温下重复利 用DI-O 3/DHF清洗液，半导体清洗机，臭氧化的DI水（DI-O3 ）产生氧化硅，稀释的HF蚀刻氧化硅，同时清除颗粒和金属污染物。
在半导体湿式清洗制程中，晶圆 (湿式) 清洗制程主要是希望藉由化学药品与清洗设备，泰州半导体清洗机，清除来自周遭环境所附着在晶圆表面的脏污，上海半导体清洗机，以达到半导体组件电气特性的要求与可靠度。过去 RCA 多槽湿式清洗一直是晶圆清洗的主要技术，合肥半导体清洗机，不过随着近年来制程与清洗设备的演进，不但在清洗制程中不断产生新的技术，也随着半导体后段封装技术的演进，清洗设备也逐渐进入封装厂的生产线中。
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