为了半导体清洗技术能满足不断出现的新需求，半导体清洗设备，必须对现有工艺进行调整和修改。随着纵向尺寸持续缩小， 温州半导体清洗设备，清洗操作过程中的材料损失和表面粗糙就会成为必须关注的领域。将微粒去除而又没有材料损失和图形损伤是最基本的要求，因此必须考虑周全并有所折衷。
基于APM（NH4OH:H2O2:H2O）的化学材料在微粒去除方面仍占主宰地位，半导体清洗，但如果没有兆频超声波强化，其作用就不是很有效。基于最初RCA（HPM：HCl:H2O2:H2O）配方的去除金属的化学材料差不多都放弃了。
与洁净得多的抗蚀剂和化学材料结合在一起的创新化学是在这一领域成功的关键。此外，几何图形非常密集的器件制造的污染控制也推动了各种创新技术的研发，例如包括超临界CO2（SCCO2）清洗。
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