半导体清洗工艺,半导体清洗,苏州晶淼半导体

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氨水加氧化剂清洗液   氨水加氧化剂清洗液配方为: NH4OH∶H2O2∶H2O=1∶10∶10~1∶20∶20,温度为25~40℃,时间10~30min。由于这种清洗液具有碱性、氧化性和络合性,半导体清洗工艺,可以发生氧化反应、产生...


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氨水加氧化剂清洗液

   氨水加氧化剂清洗液配方为: NH4OH∶H2O2∶H2O=1∶10∶10~1∶20∶20,温度为25~40℃,时间10~30min。由于这种清洗液具有碱性、氧化性和络合性,半导体清洗工艺,可以发生氧化反应、产生微蚀刻作用,半导体清洗,以达到去除表面颗粒的目的,可以去除一些有机污染物及部分重金属离子污染物。



清洗安全操作规范:

(1)药品使用完后,必须把瓶盖拧紧并放到安全处;  

(2)工作台前的外窗门,半导体清洗设备,在使用时和使用后,均应拉下封闭,防止试剂污染晶片和超净间,危害员工健康;

(3)废液回收时一定要两人同时在场。



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