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氨水加氧化剂清洗液   氨水加氧化剂清洗液配方为: NH4OH∶H2O2∶H2O=1∶10∶10~1∶20∶20,温度为25~40℃,半导体清洗,时间10~30min。由于这种清洗液具有碱性、氧化性和络合性,可以发生氧化反应、产生微蚀...


品牌 苏州晶淼半导体
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氨水加氧化剂清洗液

   氨水加氧化剂清洗液配方为: NH4OH∶H2O2∶H2O=1∶10∶10~1∶20∶20,温度为25~40℃,半导体清洗,时间10~30min。由于这种清洗液具有碱性、氧化性和络合性,可以发生氧化反应、产生微蚀刻作用,半导体清洗设备,以达到去除表面颗粒的目的,可以去除一些有机污染物及部分重金属离子污染物。



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