为了应对硅表面的非平面性问题，晶圆清洗技术至少受到三个不同前沿加工技术的挑战。首先涉及的是CMOS加工。在器件几何形状不断减小时，尖端数字CMOS技术方面的挑战是保持栅结构有足够的电容密度，半导体清洗机，这是在栅长度减小时维持足够高驱动电流所需要的。一个途径是采用比SiO2介电常数高的栅电介质，另一途径是通过三维结构MOS栅极以增加栅面积又不增加单元电路面积，半导体清洗机，再一个途径就是二者的结合。
氨水加氧化剂清洗液
氨水加氧化剂清洗液配方为: NH4OH∶H2O2∶H2O=1∶10∶10~1∶20∶20，温度为25~40℃，时间10~30min。由于这种清洗液具有碱性、氧化性和络合性，可以发生氧化反应、产生微蚀刻作用，以达到去除表面颗粒的目的，可以去除一些有机污染物及部分重金属离子污染物。
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