用等离子体清洗硅晶片表面上的光致抗蚀膜，称为腐蚀去除的脱膜过程。
图Io—35表示的是用等离子体对硅晶片的刻蚀过程和光致抗蚀膜的去除过程。是用不活泼气体CF4与活泼气体O2组成的等离子体共同作用。
对硅晶片的刻蚀目的是去除硅晶片表面未被光致抗蚀膜保护的二氧化硅。使用的刻蚀气体为CF4；刻蚀条件为200W， 40P9(0.3Torr)等离子体处理6～8min。其反应机理为： SiO2+4F*——>SiF4+02
由图10-35中的a．至b．的变化可见此过程。
而光致抗蚀膜的脱膜过程使用的等离子体处理所用的气体为O2；脱膜条件为 400W，133.3Pa(L 0Torr)等离子体：处理10min。
在等离子体中存在下列物质：被加速而处于高速运动状态的电子；处于激发状态的中性原子、分子；离子化的原子、分子；解离反应过程生成的紫外线；未反应的原子和分子。
等离子体状态中，在电场中加速运动的电子和离子具有很大的动能，能提供激发氧气和四氟化碳(CF4)组成的体系活化所需要的能量。另外，FOG清洗，等离子体中含有紫外线和其他光能量，COG端子清洗，都可以被表面处理工艺加以利用。例如，将塑料表面进行等离子体处理，可以改善和提高它，lcd等离子清洗，们的印刷性能，清洗，这种工艺早已在实践中得到应用。现在半导体中用等离子体处理，促进薄膜形成、结晶成长、离子加工、表面分析，已形成丰富多彩的工艺应用。
