为了应对硅表面的非平面性问题，晶圆腐蚀，晶圆清洗技术至少受到三个不同前沿加工技术的挑战。首先涉及的是CMOS加工。在器件几何形状不断减小时，尖端数字CMOS技术方面的挑战是保持栅结构有足够的电容密度，这是在栅长度减小时维持足够高驱动电流所需要的。一个途径是采用比SiO2介电常数高的栅电介质，腐蚀，另一途径是通过三维结构MOS栅极以增加栅面积又不增加单元电路面积，再一个途径就是二者的结合。
选择清洗机时要注意
仔细观察认证标志，鉴别产品质量。
比如图案大小，湿法腐蚀台， 各认证机构对于其认证标志的外观。比例，颜色，必需要有的内容等，都有严格的规定。像CE认证，其比例是有严格界定的左下图是正确的CE标志，硅腐蚀设备，右下图是假冒的标志。其区别在于字母E里面的小横线的长短不同，真标识的小横线应当短于上下两横线。同时请注意该标识必需依照两圆交接处的距离来确定C和E两个字母的间隔距离。两字母间距过大或过小都是假冒的。
表面清洗正成为此类半导体加工中不断出现的问题。这是因为衬底晶体的低劣质量（而不是其表面洁净度）不再是限定与那些材料有关的制造良率的主导因素。随着各种半导体材料衬底单晶质量的提高，考虑因素就会变化，会对清洗技术给予更加密切的关注。
