随着微粒和金属污染的数量级逐渐减小，硅片清洗，以及对这方面的污染控制非常有效，现在更多注意的是有机污染和表面状态相关问题。用简单的灯清洗法可以把有机污染从Si表面除去。此外，应特别注意溶解在水内和气相的臭氧在控制有机污染中的作用。
特殊的电应用和光应用中有不断增长的提高性能的需求，这要求大大地改进硅以外的许多半导体的制造技术。
这些材料的例子包括锗，硅片清洗台价格，因为它有高于Si的电子迁移率，硅片清洗机，有可能与高-k栅介质集成；加工应力沟道Si MOSFET所需的SiGe；以及碳化硅SiC，硅片清洗台，其带隙很宽。除了最*先进的GaAs外，像GaN、InAs、InSb、ZnO等等一些Ⅲ-Ⅴ族半导体也越来越引起人们的兴趣。
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