氨水加氧化剂清洗液
氨水加氧化剂清洗液配方为: NH4OH∶H2O2∶H2O=1∶10∶10~1∶20∶20，半导体清洗，温度为25~40℃，半导体清洗设备，时间10~30min。由于这种清洗液具有碱性、氧化性和络合性，半导体清洗，可以发生氧化反应、产生微蚀刻作用，以达到去除表面颗粒的目的，可以去除一些有机污染物及部分重金属离子污染物。
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