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光刻机紫外光源曝光系统最核心的部件之一是紫外光源。常见光源分为:紫外光（UV），陶瓷器件，g线：436nm;i线：365nm深紫外光（DUV），KrF 准分子激光：248 nm， ArF 准分子激光：193 nm极紫外光（EUV），福州陶瓷器件，10 ~ 15 nm对光源系统的要求
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光刻机的匹配使用是指同一产品不同的工艺图层可以分别在不同型号或同一型号不同系列的光刻机上进行光刻，上海陶瓷器件，而不影响光刻工艺的质量。场镜误差的匹配性最终反映在民机场内套刻误差的差异性上，因为每种透镜均有一个特征畸变图形，其位置误差作为曝光像场位置的一种函数。
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